國(guó)內(nèi)有做IGBTDBC動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備的廠家嗎？

隨著國(guó)產(chǎn)IGBT芯片的興起，越來(lái)越多的國(guó)產(chǎn)自主IGBT芯片被引入到封裝廠，封裝成模塊并應(yīng)用到各行各業(yè)。目前大部分國(guó)產(chǎn)IGBT芯片還未經(jīng)過(guò)大量的市場(chǎng)和時(shí)間的考驗(yàn)，在良率和穩(wěn)定性上會(huì)比進(jìn)口品牌差一些，如果芯片封裝成模塊之后再去測(cè)試動(dòng)態(tài)參數(shù)，那么模塊測(cè)試失效的話(huà)，損失會(huì)比較大，尤其是電動(dòng)汽車(chē)用的IGBT模塊，價(jià)格比較昂貴，一般內(nèi)部為6個(gè)單元，如果一個(gè)單元失效，那么整個(gè)模塊報(bào)廢，封裝廠損失較大。

那么有沒(méi)有一種辦法，能夠?qū)⑿阅苡腥毕莸腎GBT芯片在封裝成模塊之前提前篩選出來(lái)，防止芯片封裝到模塊之后，失效而導(dǎo)致整個(gè)模塊報(bào)廢呢？目前有2種方式：

1、wafer階段測(cè)試。目前wafer階段測(cè)試，大部分晶圓廠或封裝廠采用的都是靜態(tài)測(cè)試。但是靜態(tài)測(cè)試的條件比較有限，IGBT只能在低電壓大電流或者高電壓小電流的條件下工作，對(duì)芯片的篩選能力有限。而動(dòng)態(tài)測(cè)試條件下，IGBT要在高電壓和大電流下開(kāi)通和關(guān)斷，對(duì)其性能要求更加嚴(yán)苛，篩選標(biāo)準(zhǔn)更嚴(yán)格。但是針對(duì)wafer的動(dòng)態(tài)測(cè)試技術(shù)難度很高，實(shí)現(xiàn)起來(lái)非常困難，且測(cè)試設(shè)備極其昂貴，也不容易買(mǎi)到。所以wafer階段的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，現(xiàn)階段不容易實(shí)現(xiàn)。

2、DBC階段測(cè)試。將IGBT芯片從wafer上取下來(lái)，焊在DBC上，再進(jìn)行一次綁線(xiàn)，將芯片的G、C、E極與DBC上預(yù)留的綁線(xiàn)位通過(guò)金屬線(xiàn)連接起來(lái)，此時(shí)的IGBT狀態(tài)，我們可稱(chēng)之為DBC階段。如果在DBC階段就對(duì)IGBT進(jìn)行測(cè)試篩選，將性能不良的芯片篩選出來(lái)，那么封裝成IGBT模塊以后，模塊的不良率會(huì)大大降低。而DBC階段的IGBT成本大大低于IGBT模塊，比如一個(gè)450A的62mm模塊，內(nèi)部分為上下兩個(gè)橋臂，有2個(gè)IGBT單元，每個(gè)IGBT又是由2個(gè)IGBT芯片并聯(lián)而成（通過(guò)DBC的形式并聯(lián)，每顆芯片焊在一塊DBC上），那么一個(gè)模塊里面就相當(dāng)于有4塊DBC。如果對(duì)DBC進(jìn)行測(cè)試的話(huà)，則每次只測(cè)試1塊DBC，那么如果IGBT失效，每次只會(huì)損失1塊DBC；假設(shè)封裝成IGBT模塊以后，測(cè)試失效，那么同時(shí)損失的還有另外3塊DBC，再加上底板、外殼、灌膠等材料及一系列工序，整個(gè)模塊的價(jià)值損失是遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)1塊DBC的。目前大部分的IGBT廠商對(duì)DBC的測(cè)試主要以靜態(tài)測(cè)試為主，很多廠商還未意識(shí)到DBC動(dòng)態(tài)測(cè)試的重要性，尤其是導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)IGBT芯片以后，對(duì)DBC進(jìn)行100%的動(dòng)態(tài)測(cè)試是十分必要的，可以大大降低生產(chǎn)成本，提高產(chǎn)品的可靠性。

那國(guó)內(nèi)有做IGBT DBC動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備的廠家嗎？實(shí)際上，成都威宇佳智能控制有限公司自主研發(fā)的IGBT DBC動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備，早已批量應(yīng)用于國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車(chē)IGBT模塊制造廠家。其DBC動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備，可連接自動(dòng)化設(shè)備，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化生產(chǎn)，也可獨(dú)立運(yùn)行，手動(dòng)操作，因此既適用于產(chǎn)線(xiàn)批量生產(chǎn)測(cè)試，也可用于研發(fā)少量測(cè)試。

成都威宇佳是一家以IGBT、MOSFET、SiC等為主要功率半導(dǎo)體的測(cè)試設(shè)備開(kāi)發(fā)制造企業(yè)。它是國(guó)內(nèi)首家電動(dòng)汽車(chē)用IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備制造商，已通過(guò)ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證，并獲得多項(xiàng)專(zhuān)利和軟件著作權(quán)。其動(dòng)態(tài)設(shè)備已在市場(chǎng)上應(yīng)用超過(guò)10年，歷經(jīng)了超過(guò)500萬(wàn)只模塊/DBC的測(cè)試考驗(yàn)。